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    M13S5121632A-5TG 参数 Datasheet PDF下载

    M13S5121632A-5TG图片预览
    型号： M13S5121632A-5TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8M ×16位×4银行双倍数据速率SDRAM [8M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 47 页 / 966 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M13S5121632A-5TG的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M13S5121632A-5TG的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M13S5121632A-5TG的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M13S5121632A-5TG的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M13S5121632A-5TG的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M13S5121632A-5TG的Datasheet PDF文件第37页浏览型号M13S5121632A-5TG的Datasheet PDF文件第38页浏览型号M13S5121632A-5TG的Datasheet PDF文件第39页  
    ESMT  
    M13S5121632A  
    Write with Auto Precharge (@BL=8)  
    Note 1. The row active command of the precharge bank can be issued after tRP from this point.  
    The new read/write command of another activated bank can be issued from this point.  
    At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/another bank is illegal.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date : Oct. 2008  
    Revision : 1.0 35/47  

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