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M13S128324A-3.6BG2M 参数 Datasheet PDF下载

M13S128324A-3.6BG2M图片预览
型号: M13S128324A-3.6BG2M
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内容描述: [DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, FBGA-144]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 48 页 / 1147 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
Functional Block Diagram
CLK
CLK
CKE
Address, BA
Mode Register &
Extended Mode
Register
Clock
Generator
M13S128324A (2M)
Bank D
Bank C
Bank B
Row Decoder
Row
Address
Buffer
&
Refresh
Counter
Bank A
DQS
Sense Amplifier
DM
Command Decoder
CAS
WE
Data Control Circuit
Input & Output
Buffer
Latch Circuit
RAS
Control Logic
CS
Column
Address
Buffer
&
Refresh
Counter
Column Decoder
DQ
CLK, CLK
DLL
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Aug. 2011
Revision : 1.3
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