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M12S64164A-7TG 参数 Datasheet PDF下载

M12S64164A-7TG图片预览
型号: M12S64164A-7TG
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内容描述: 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 45 页 / 1058 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M12S64164A  
Active/Precharge Power Down Mode @ CAS Latency = 2, Burst Length = 4  
1 0  
11  
1 2  
1 3  
1 4  
1 5  
1 6  
1 7  
1 8  
1 9  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
C L O C K  
C K E  
* N o t e 2  
t
S S  
t
S S  
t
S S  
* N o t e 1  
* N o t e 3  
C S  
R A S  
C A S  
A D D R  
R a  
C a  
B A 0  
B A 1  
A 1 0 / A P  
R a  
t
S H Z  
DQ  
Q a 0 Q a 1 Q a 2  
W E  
D Q M  
R e a d  
P r e c h a r g e  
P re c h a rg e  
P o we r -D o wn  
En tr y  
R o w A ct i ve  
P re ch a rg e  
P o we r -D o wn  
E xi t  
A c t i v e  
P o w e r - d o w n  
E x i t  
A ct i v e  
P o w e r -d o w n  
E n t r y  
:
D o n ' t c a r e  
*Note: 1. All banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.  
2. CKE should be set high at least 1CLK + tSS prior to Row active command.  
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Apr. 2009  
Revision: 1.2 39/45  
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