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M12S16161A_1 参数 Datasheet PDF下载

M12S16161A_1图片预览

型号：	M12S16161A_1
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内容描述：	512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	30 页 / 622 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

M12S16161A

Operation Temperature Condition -40°C~85°C

Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

CLOCK

CKE

HIGH

CS

RAS

CAS

*Note2

CAa

ADDR

BA

CBb

CAc

RBb

CBd

RAa

A10/AP

DQ

RAa

RBb

DBb3 DAc0 DAc1

DBb2

DAa1 DAa2

DBb0 DBb1

DBd0

DAa0

DAa3

DBd1

tCDL

tRDL

WE

*Note1

DQM

Precharge

(Both Banks)

Row Active

(A-Bank)

Write

(B-Bank)

Row Active

(B-Bank)

Write

(A-Bank)

Write

(A-Bank)

Write

(B-Bank)

: Don't care

*Note: 1.t^CDLshould be met to complete write.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Sep. 2007

Revision : 1.0 17/30

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