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    M12L64164A-7TG2M 参数 Datasheet PDF下载

    M12L64164A-7TG2M图片预览
    型号： M12L64164A-7TG2M
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 45 页 / 1260 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12L64164A-7TG2M的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M12L64164A-7TG2M的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M12L64164A-7TG2M的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M12L64164A-7TG2M的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M12L64164A-7TG2M的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M12L64164A-7TG2M的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M12L64164A-7TG2M的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M12L64164A-7TG2M的Datasheet PDF文件第13页  
    ESMT
    BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
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    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
    Publication Date: May 2012
    Revision: 1.1
    9/45

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