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M12L64164A-6TIG2M 参数 Datasheet PDF下载

M12L64164A-6TIG2M图片预览
型号: M12L64164A-6TIG2M
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内容描述: [Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 45 页 / 1259 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M12L64164A (2M)  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
Single Bit Read-Write-Read Cycle (Same Page) @ CAS Latency = 3, Burst Length = 1  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Jun. 2012  
Revision: 1.2 27/45  
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