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M12L64164A-5TIG2M 参数 Datasheet PDF下载

M12L64164A-5TIG2M图片预览
型号: M12L64164A-5TIG2M
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内容描述: [Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 45 页 / 1259 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M12L64164A (2M)  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM  
( a) CL =2 , B L= 4  
CLK  
i ) C M D  
W R  
D0  
R D  
R D  
R D  
R D  
D Q M  
D Q  
D3  
D1  
D2  
i i ) C M D  
W R  
D Q M  
D Q  
H i - Z  
D3  
D2  
D1  
D0  
D2  
D1  
i i i ) C M D  
W R  
D Q M  
D Q  
H i - Z  
D0  
D1  
D3  
i v ) C M D  
W R  
D Q M  
D Q  
H i - Z  
Q0  
D0  
D2  
D3  
* N o t e 1  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Jun. 2012  
Revision: 1.2  
18/45  
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