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M12L2561616A-6BIG 参数 Datasheet PDF下载

M12L2561616A-6BIG图片预览
型号: M12L2561616A-6BIG
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内容描述: 4M ×16位×4银行同步DRAM [4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 45 页 / 921 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M12L2561616A  
Operation Temperature Condition -40~85°C  
Active/Precharge Power Down Mode @ CAS Latency = 2, Burst Length = 4  
16  
17  
18  
11  
12  
13  
14  
15  
19  
0
1
2
5
9
1 0  
3
4
6
7
8
C L O C K  
C K E  
H I G H  
C S  
R A S  
C A S  
A D D R  
CA b  
R Aa  
C Aa  
B A0  
BA 1  
A10/AP  
D Q  
R Aa  
t
R D L  
t
B D L  
* N o t e 1  
DAb0  
D Aa0 DAa1 DA a2  
DA b2  
D Aa3 DAa4  
D Ab1  
D Ab3  
DA b5  
D Ab4  
W E  
D Q M  
W r it e  
( A- B a nk )  
Burs t Stop  
Ro w Ac ti ve  
( A- Ba n k)  
Pr ec ha rge  
( A- B an k)  
W r it e  
( A- B a nk )  
:D o n't C a r e  
*Note: 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.  
2. CKE should be set high at least 1CLK + tSS prior to Row active command.  
3. Can not violate minimum refresh specification.  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: May 2008  
Revision: 1.2 39/45  
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