欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M12L2561616A-6BIG2S 参数 Datasheet PDF下载

M12L2561616A-6BIG2S图片预览
型号: M12L2561616A-6BIG2S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-54]
分类和应用: 动态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 45 页 / 1010 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
 浏览型号M12L2561616A-6BIG2S的Datasheet PDF文件第37页浏览型号M12L2561616A-6BIG2S的Datasheet PDF文件第38页浏览型号M12L2561616A-6BIG2S的Datasheet PDF文件第39页浏览型号M12L2561616A-6BIG2S的Datasheet PDF文件第40页浏览型号M12L2561616A-6BIG2S的Datasheet PDF文件第41页浏览型号M12L2561616A-6BIG2S的Datasheet PDF文件第42页浏览型号M12L2561616A-6BIG2S的Datasheet PDF文件第43页浏览型号M12L2561616A-6BIG2S的Datasheet PDF文件第45页  
ESMT  
M12L2561616A (2S)  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
Revision History  
Revision  
Date  
Description  
0.1  
2014.01.24  
Original  
1. Delete "Preliminary"  
2. Modify Input / Output Capacitance  
1.0  
2014.04.21  
1.1  
1.2  
1.3  
2014.06.26  
2014.07.28  
2014.08.28  
Modify the specification of tRDL  
Modify the figures for tRDL  
Add BGA package  
1. Modify the specification of VIN, VOUT, VDD,VDDQ in absolute  
maximum rating table  
1.4  
2015.02.05  
2. Modify the notes of VIH and VIL  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Feb. 2015  
Revision: 1.4 44/45  
 复制成功!