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    M12L2561616A-5TG2A 参数 Datasheet PDF下载

    M12L2561616A-5TG2A图片预览
    型号： M12L2561616A-5TG2A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54]
    分类和应用： 动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 45 页 / 926 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12L2561616A-5TG2A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M12L2561616A-5TG2A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M12L2561616A-5TG2A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M12L2561616A-5TG2A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M12L2561616A-5TG2A的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M12L2561616A-5TG2A的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M12L2561616A-5TG2A的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M12L2561616A-5TG2A的Datasheet PDF文件第13页  
    ESMT
    BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
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    M12L2561616A (2A)
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    BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
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    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
    Publication Date: Aug. 2012
    Revision: 1.2
    9/45

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