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M12L16161A-6T 参数 Datasheet PDF下载

M12L16161A-6T图片预览
型号: M12L16161A-6T
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内容描述: 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 27 页 / 568 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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M12L16161A  
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
1
1
1
2
1
3
1
4
1 8  
1
5
1
6
1
7
1 9  
CLOCK  
CKE  
HIGH  
C S  
R A S  
CAS  
RAc  
ADDR  
CAa  
CBb  
CAc  
RAa  
RBb  
BA  
RBb  
RAa  
RAc  
A10/AP  
CL=2  
*Note1  
tCDL  
QAa1 QAa2 QAa3  
DBb1 DBb2  
QAa0  
DBb0  
DBb3  
QAc0 QAc1  
QAc2  
DQ  
QAa1  
CL=3  
WE  
QAa0  
QAa2 QAa3  
DBb0 DBb1 DBb2 DBb3  
QAc0 QAc1  
DQM  
Write  
(B-Bank)  
Read  
(A-Bank)  
Read  
(A-Bank)  
Precharge  
(A-Bank)  
Row Active  
(A-Bank)  
Row Active  
(A-Bank)  
Row Active  
(B-Bank)  
: D o n ' t C a r e  
*Note: 1. CDL should be met to complete write.  
t
:
Publication Da te J an. 2000  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
P.18  
:
Revis ion 1.3u  
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