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M12L16161A-5TIG 参数 Datasheet PDF下载

M12L16161A-5TIG图片预览
型号: M12L16161A-5TIG
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内容描述: 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 29 页 / 698 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M12L16161A  
Operation temperature condition -40~85℃  
Mode Register  
11  
0
11  
x
10  
0
10  
x
9
0
9
1
8
0
8
0
7
1
7
0
6
6
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
0
0
JEDEC Standard Test Set (refresh counter test)  
LTMODE  
WT  
BL  
Burst Read and Single Write (for Write  
Through Cache)  
11  
10  
9
9
x
9
8
1
8
1
8
0
7
0
7
1
7
0
6
6
v
6
5
5
v
5
4
4
v
4
3
3
v
3
2
2
v
2
1
1
v
1
0
Use in future  
11  
x
11  
0
10  
x
10  
0
0
v
0
Vender Specific  
v =Valid  
0
LTMODE  
WT  
BL  
Mode Register Set  
x =Don’t care  
Bit2-0  
000  
001  
010  
011  
100  
101  
110  
111  
WT=0  
1
2
4
8
R
R
R
WT=1  
1
2
4
8
R
R
R
R
Burst length  
Full page  
0
1
Sequential  
Interleave  
Wrap type  
Bits6-4  
CAS Latency  
000  
001  
010  
011  
100  
101  
110  
111  
R
R
2
Latency mode  
3
R
R
R
R
Mode Register Write Timing  
Remark R : Reserved  
CLOCK  
CKE  
CS  
RAS  
CAS  
WE  
A0-A11  
Mode Register Write  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : May. 2007  
Revision : 1.1 8/29  
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