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M11B416256A-40J 参数 Datasheet PDF下载

M11B416256A-40J图片预览
型号: M11B416256A-40J
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内容描述: 256千×16 EDO DRAM页模式 [256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 375 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EliteMT  
M11B416256A  
EDO-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE  
(Psuedo READ-MODIFY-WRITE)  
tR A S C  
tR P  
V I H  
V I L  
RA S  
CA S  
tC S H  
tC P  
tP C  
tC A S  
tR S H  
tC A S  
tC R P  
tR C D  
tC P  
tC P  
tC A S  
tC P  
V I H  
V I L  
tA R  
tR A L  
tR A D  
tR A H  
tA S C  
tC A H  
tA S R  
tC A H  
tA S C  
tC A H  
tA S C  
V I H  
V I L  
A D D R  
W E  
C O L U M N ( A )  
R O W  
C O L U M N ( B )  
C O L U M N ( N )  
R O W  
tR C H  
tR C S  
tW C S  
tW C H  
V I H  
V I L  
tA A  
tA A  
tW H Z  
V A L I D  
tR A C  
tA C P  
tD S  
tD H  
tC A C  
tO A C  
tC A C  
tC O H  
V I / O H  
V I / O L  
V A L I D  
D A T A I N  
VA L ID DA T A( A )  
O PE N  
I/O  
OE  
D A T A ( B )  
V I H  
V I L  
RASONLY REFRESH CYCLE  
(ADDR = A0~A8 ; OE , WE = DON’T CARE)  
tR C  
tR P  
tR A S  
V I H  
V I L  
RA S  
tC R P  
tA S R  
tR P C  
V I H  
V I L  
CA SL , C AS H  
A D D R  
tR A H  
V I H  
V I L  
R O W  
R O W  
VO H  
VO L  
OPE N  
I/O  
DON'T CARE  
UNDEFINED  
Elite Memory Technology Inc  
Publication Date : Feb. 2004  
Revision : 1.9  
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