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F49L400UA-90T 参数 Datasheet PDF下载

F49L400UA-90T图片预览
型号: F49L400UA-90T
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内容描述: 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 ) 3V只有CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 47 页 / 388 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EFST  
F49L400UA/F49L400BA  
11. ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE  
Table 15. Erase And Programming Performance (Note.1)  
Limits  
Parameter  
Unit  
Typ.(2)  
Max.(3)  
15  
Sector Erase Time  
Chip Erase Time  
0.7  
Sec  
Sec  
Us  
11  
50  
Byte Programming Time  
Word Programming Time  
9
11  
300  
360  
13.5  
9
Us  
Byte Mode  
Word Mode  
4.5  
Sec  
Sec  
Cycles  
Chip Programming Time  
Erase/Program Cycles (1)  
Notes:  
3
100,000  
-
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.  
2.Typical values measured at 25°C, 3.3V.  
3.Maximum values measured at 85°C, 3.0V.  
Elite Flash Storage Technology Inc.  
Publication Date : Sep. 2006  
Revision: 1.1  
45/47  
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