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F49L160UA_1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: F49L160UA_1
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内容描述: 16兆位( 2M ×8 / 1M ×16 ) 3V只有CMOS闪存 [16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 51 页 / 459 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
F49L160UA/F49L160BA  
Operation Temperature condition -40°C~85°C  
4. PIN CONFIGURATIONS  
4.1 48-pin TSOP  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
1
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
A16  
2
BY TE  
GND  
DQ15/A-1  
DQ7  
DQ14  
DQ6  
DQ13  
DQ5  
DQ12  
DQ4  
VCC  
DQ11  
DQ3  
DQ10  
DQ2  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
OE  
3
4
5
6
7
A8  
8
A19  
NC  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
WE  
RESET  
NC  
F49L160U/BA  
NC  
RY/BY  
A18  
A17  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
GND  
CE  
A2  
A1  
A0  
4.2 Pin Description  
Symbol  
A0~A19  
Pin Name  
Address Input  
Functions  
To provide memory addresses.  
To output data when Read and receive data when Write.  
DQ0~DQ14 Data Input/Output  
The outputs are in tri-state when OE or CE is high.  
Q15 (Word mode) /  
DQ15/A-1  
To bi-direction date I/O when BYTE is High  
To input address when BYTE is Low  
LSB addr (Byte Mode)  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
CE  
To activate the device when CE is low.  
To gate the data output buffers.  
OE  
To control the Write operations.  
WE  
Hardware Reset Pin/Sector Protect Unprotect  
RESET  
BYTE  
Word/Byte selection input To select word mode or byte mode  
Ready/Busy  
To check device operation status  
To provide power  
RY/ BY  
VCC  
Power Supply  
Ground  
GND  
NC  
No connection  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jan. 2008  
Revision: 1.4 2/51  
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