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F49L160BA-90TG 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	F49L160BA-90TG
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内容描述：	16兆位（ 2M ×8 / 1M ×16 ） 3V只有CMOS闪存 [16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	50 页 / 479 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

10. AC CHARACTERISTICS

TEST CONDITIONS

F49L160UA/F49L160BA

Figure 3. Test Setup

2.7K

DEVICE UNDER

TEST

+3.3V

DIODES = IN3064

OR EQUIVALENT

CL

6.2K

CL = 100pF Including jig capacitance

CL = 30pF for Flash device

Figure 4. Input Waveforms and Measurement Levels

3. 0V

0V

1. 5V

1. 5V

Test Poin t s

Inpu t

Out pu t

A C TE S TIN G

In p ut p ul s e r i s e a nd f a l l ti m e s a re

:

In p u t s a r e d r i v e n a t 3 . 0 V f o r

5 n s .

a

l o g i c " 1 " a n d 0 V f o r

a

l o g i c " 0 "

<

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Jan. 2008

Revision: 1.8 23/50

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