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    F49L004UA-70N 参数 Datasheet PDF下载

    F49L004UA-70N图片预览
    型号： F49L004UA-70N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8 ）只有3V CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 46 页 / 354 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号F49L004UA-70N的Datasheet PDF文件第38页浏览型号F49L004UA-70N的Datasheet PDF文件第39页浏览型号F49L004UA-70N的Datasheet PDF文件第40页浏览型号F49L004UA-70N的Datasheet PDF文件第41页浏览型号F49L004UA-70N的Datasheet PDF文件第42页浏览型号F49L004UA-70N的Datasheet PDF文件第43页浏览型号F49L004UA-70N的Datasheet PDF文件第45页浏览型号F49L004UA-70N的Datasheet PDF文件第46页  
    EFST  
    preliminary  
    F49L004UA / F49L004BA  
    11. ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE  
    Table 15. Erase And Programming Performance (Note.1)  
    Limits  
    Typ.(2)  
    0.7  
    Parameter  
    Min.  
    Unit  
    Max.(3)  
    Sector Erase Time  
    15  
    sec  
    sec  
    Chip Erase Time  
    11  
    Byte Programming Time  
    Chip Programming Time  
    9
    300  
    us  
    4.5  
    13.5  
    sec  
    Erase/Program Cycles  
    100,000  
    Cycles  
    Notes:  
    1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.  
    2.Typical values measured at 25°C, 3V.  
    3.Maximum values measured at 25°C, 2.7V.  
    Elite Flash Storage Technology Inc.  
    Publication Date : Aug. 2003  
    Revision: 0.2 44/46  

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