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    PTF10020 参数 Datasheet PDF下载

    PTF10020图片预览
    型号： PTF10020
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 125瓦， 860-960兆赫GOLDMOS场效应晶体管 [125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 316 K
    品牌： ERICSSON [ ERICSSON ]
     浏览型号PTF10020的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PTF10020的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PTF10020的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PTF10020的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PTF10020的Datasheet PDF文件第6页  
    PTF 10020
    电气特性
    特征
    条件
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    e
    （ 100 ％测试，特性，每边所示的条件和限制）
    民
    65
    —
    3.0
    —
    典型值
    —
    —
    4.3
    2.5
    最大
    —
    1.0
    5.0
    —
    单位
    伏
    mA
    伏
    SIEMENS
    漏源击穿电压V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 5毫安
    漏极 - 源极漏电流
    栅极阈值电压
    正向跨导
    V
    DS
    = 28 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 75毫安
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 3 A
    最大额定值
    参数
    漏源电压
    (1)
    栅源电压
    (1)
    工作结温
    在器件总功耗
    高于25 °C减免了
    存储温度范围
    热阻（T
    例
    = 70°C)
    (1)
    每面
    符号
    V
    DSS
    V
    GS
    T
    J
    P
    D
    T
    英镑
    R
    QJC
    价值
    65
    ±20
    200
    290
    1.67
    -40到+150
    0.6
    单位
    VDC
    VDC
    °C
    瓦
    W / ℃，
    °C
    ° C / W
    典型性能
    宽带测试夹具性能
    20
    效率％
    16
    60
    50
    40
    效率
    宽带测试夹具性能
    20
    18
    16
    效率％
    60
    50
    40
    - 30
    5
    -15
    20
    -25
    10
    -35
    0
    960
    增益（dB ）
    收益
    12
    增益（dB ）
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    925
    收益
    回波损耗（分贝）
    - 30
    5
    -15
    20
    -25
    10
    回波损耗
    I
    DQ
    = 1.4 A总
    8
    I
    DQ
    = 1.4 A总
    P
    OUT
    = 125 W
    回波损耗
    P
    OUT
    = 125 W
    4
    860
    870
    880
    890
    -35
    0
    900
    930
    935
    940
    945
    950
    955
    频率（MHz）
    频率（MHz）
    2
    回波损耗（分贝）
    V
    DD
    = 28 V
    V
    DD
    = 28 V
    效率

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