晶体振荡器
電圧制御水晶発振器
VG-2820CB
�½品型番（２ページを参照）
Q3621CB0xxxxx00
GSM基站电源
●
リフロー可�½な高密度実装対応超小型SMD
（5.0×3.2×1.5 mm）
●
耐热AT振动子内蔵で，泛用贴片ICと同等の耐热性を実现
●
Bi-CMOS ICの�½�用により�½�消費電流、
�½�ノイズ特性を実現
（ -128 dBc的/ Hz的典型。在100Hz的偏移）
●
電源電圧2.8 V対応
●
原 寸 大
■仕 様（特性）
項 目
出
力
周
波
数
記 号
f
0
仕 様
13.0000 MHz的
-0.3 V∼+7.0 V
2.8 V±0.1 V
-40
˚C∼+85 ˚C
-20
˚C∼+75 ˚C
±12
×
10
-6
马克斯。
※
±12
×
10
-6
分钟。
正極性
Z
IN
I
CC
税
V
OUT
R
L
出 力 負 荷
C
L
10 MΩ分钟。
mA（最大值） 1.0 。
30 %∼70 %
0.8 V最小。
9 kΩ∼11 kΩ
9 pF~11 pF的
V
C
-GND （DC）的
10
kΩ的// 10 pF的，V
CC
=2.8 V
GND电平（ DC切）
峰值到峰值
直电容= 0.01
µF
V
C
= 1.0 V（中心） ， 0.06 V， 2.0 V
単品での保存
条 件
電源電圧
最 大 供 給 電 圧 V
CC
-GND
動 �½� 電 圧
保 存 温 度
動 �½� 温 度
V
CC
T
英镑
T
OPR
f/f
0
fc
温度範囲
周 波 数 安 定 度
周波数可変範囲
周波数変化極性
入 力 抵 抗
消 費 電 流
デ ュ ー テ ィ
出 力 電 圧
上記以外の仕様については、お問い合わせください。
※周波数初期偏差、リフロー特性、周波数温度特性、電源電圧変動特性、負荷変動特性、周波数経時変化（fa：初年度）を含む。
■外�½�寸法図
#3
3.2±0.2
（単�½�：mm） ■推奨はんだ付けパターン図
1.1 #4
0.8
1.3
（単�½�：mm）
A191 A
5.0±0.2
1.4
E
13.000
#2
3.7
#1
号
1.5最大。
1
2
ピン端子
V
C
GND
2.4
3.9
3 OUT
4 V
CC
※斜线范囲には， GND以外のパターンを配线しないでください。
※図と異なるはんだ付けパターンが必要となる場合はお問い合せください。
1.0
64
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
