晶体振荡器
■仕 様（特性）
項 目
出力周波数範囲
電源電圧
温度範囲
記 号
f
O
SG-710PTW
SG-710STW
仕 様
SG-710PHW
SG-710SHW
SG-710PCW
SG-710SCW
条 件
P.31�½品別周波数帯を参照して ださい
く
80.0001 MHz~135.0000兆赫
-0.5 V∼+7.0 V
最 大 供 給 電 圧 V
DD
-GND
動 �½� 電 圧
V
DD
保 存 温 度
T
英镑
動 �½� 温 度
T
OPR
f / f
O
l
OE
l
ST
l
OP
67.0001 MHz的
~135.0000兆赫
周波数安定度
ディセーブル時電流
スタンバイ時電流
デ
ュ ー テ ィ
消 費 電 流
5.0 V±0.5 V
3.3 V±0.3 V
-55
˚C∼+125 ˚C
-20
˚C∼+70 ˚C
-40
˚C∼+85 ˚C
-6
-6
Ｂ:
±50
×
10 Ｃ:
±100
×
10
ー
mA（最大值） 45 。
M:
±100
×
10
28毫安最大。
P.31�½品別周波数帯を参照して ださい
く
-20
˚C∼+70 ˚C
-40
˚C∼+80 ˚C
単品での保存
-6
t
W
/ t
V
OH
V
OL
C
L
V
IH
V
IL
t
TLH
“H”レベル出力電圧
“L”レベル出力電圧
出力负荷条件（ CMOS）的
“H”レベル入力電圧
“L”レベル入力電圧
出力上昇時間
mA（最大值） 30 。
mA（最大值） 16 。
50
µA
马克斯。
40
%∼60 %
ー
40
%∼60 %
ー
V
DD
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
–
–
15 pF的
25 pF的
ST = GND （S * W）
CMOS负荷： 1 / 2V
DD
レベル
TTL负荷： 1.4 Vレベル
I
OH
= -16毫安（ * TW / * HW ） / - 8毫安（ * CW）
I
OL
= 16 MA（ * TW / * HW） / 8毫安（ * CW）
f
0
= 135兆赫
f
0
= 135兆赫
f
0
〜 125兆赫
OE ， ST端子
OE ， ST端子
f
0
≦ 90兆赫
無負荷 (f
o
=最大。値）
OE = GND （ P * W）
5 TTL + 15 pF的
–
–
2.0 V分钟。
0.8 V最大。
2.0 ns（最大值） 。
15 pF的
–
–
15 pF的
–
0.7 V
DD
分钟。
0.2 V
DD
马克斯。
出力下降時間
発振開始時間
経 時 変 化
耐 衝 撃 性
t
THL
t
OSC
f
a
S.R.
4.0 ns（最大值） 。
ー
2.0 ns（最大值） 。
4.0 ns（最大值） 。
ー
ー
ー
3.0 ns（最大值） 。
ー
ー
ー
ー
3.0 ns（最大值） 。
最大10 ms 。
-6
±5
×
10 /年最大。
±20
×
10最大。
-6
3.0 ns（最大值） 。
ー
ー
3.0 ns（最大值） 。
TTL负荷： 0.8 V → 2.0 V ，C
L
=最大。
TTL负荷： 0.4 V → 2.4 V ，C
L
=最大。
CMOS负荷： 20 ％V
DD
→ 80 % V
DD
, C
L
=最大。
TTL负荷： 2.0 V → 0.8 V ，C
L
=最大。
TTL负荷： 2.4 V → 0.4 V ，C
L
=最大。
CMOS负荷： 80 ％V
DD
→ 20 % V
DD
, C
L
=最大。
最小値動�½�電圧のtを０とする
Ta=+25
˚C,
V
DD
=5 V / 3.3 V, 初年度
硬木上750
mm
×
3回または
29400米/ s的
2
×
0.3毫秒
×
1/2正弦波
×
3方向
38
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
