Crystal oscillator
電圧制御水晶発振器
VG-2820CB
�½品型番（２ページを参照）
Q3621CB0xxxxx00
GSM用に開発
●
リフロー可�½な高密度実装対応超小型SMD
（5.0×3.2×1.5 mm）
●
耐熱AT振動子内蔵で、汎用SMD ICと同等の耐熱性を実現
●
Bi-CMOS ICの�½�用により�½�消費電流、
�½�ノイズ特性を実現
（-128 dBc/Hz Typ. at 100 Hz offset）
●
電源電圧2.8 V対応
●
原 寸 大
■仕 様（特性）
項 目
出
力
周
波
数
記 号
f
0
仕 様
13.0000 MHz
-0.3 V∼+7.0 V
2.8 V±0.1 V
-40
˚C∼+85 ˚C
-20
˚C∼+75 ˚C
±12
×
10
-6
Max.
※
±12
×
10
-6
Min.
正極性
Z
IN
I
CC
Duty
V
OUT
R
L
出 力 負 荷
C
L
10 MΩ Min.
1.0 mA Max.
30 %∼70 %
0.8 V Min.
9 kΩ∼11 kΩ
9 pF∼11 pF
V
C
-GND (DC)
10
kΩ//10 pF, V
CC
=2.8 V
GND Level (DC cut)
Peak to Peak
DC cut capacitor =0.01
µF
V
C
=1.0 V(center), 0.06 V, 2.0 V
単品での保存
条 件
電源電圧
最 大 供 給 電 圧 V
CC
-GND
動 �½� 電 圧
保 存 温 度
動 �½� 温 度
V
CC
T
STG
T
OPR
f/f
0
fc
温度範囲
周 波 数 安 定 度
周波数可変範囲
周波数変化極性
入 力 抵 抗
消 費 電 流
デ ュ ー テ ィ
出 力 電 圧
上記以外の仕様については、お問い合わせください。
※周波数初期偏差、リフロー特性、周波数温度特性、電源電圧変動特性、負荷変動特性、周波数経時変化（fa：初年度）を含む。
■外�½�寸法図
#3
3.2±0.2
（単�½�：mm） ■推奨はんだ付けパターン図
1.1 #4
0.8
1.3
（単�½�：mm）
A191 A
5.0±0.2
1.4
E
13.000
#2
3.7
#1
NO.
1.5 Max.
1
2
ピン端子
V
C
GND
2.4
3.9
3 OUT
4 V
CC
※斜線範囲には、GND以外のパターンを配線しないでください。
※図と異なるはんだ付けパターンが必要となる場合はお問い合せください。
1.0
64
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
