Crystal oscillator
■仕 様（特性）
項 目
出力周波数範囲
電源電圧
温度範囲
記 号
f
O
SG-710PTW
SG-710STW
仕 様
SG-710PHW
SG-710SHW
SG-710PCW
SG-710SCW
条 件
P.31�½品別周波数帯を参照して ださい
く
80.0001 MHz∼135.0000 MHz
-0.5 V∼+7.0 V
最 大 供 給 電 圧 V
DD
-GND
動 �½� 電 圧
V
DD
保 存 温 度
T
STG
動 �½� 温 度
T
OPR
f / f
O
l
OE
l
ST
l
OP
67.0001 MHz
∼135.0000 MHz
周波数安定度
ディセーブル時電流
スタンバイ時電流
デ
ュ ー テ ィ
消 費 電 流
5.0 V±0.5 V
3.3 V±0.3 V
-55
˚C∼+125 ˚C
-20
˚C∼+70 ˚C
-40
˚C∼+85 ˚C
-6
-6
Ｂ:
±50
×
10 Ｃ:
±100
×
10
ー
45 mA Max.
M:
±100
×
10
28 mA Max.
P.31�½品別周波数帯を参照して ださい
く
-20
˚C∼+70 ˚C
-40
˚C∼+80 ˚C
単品での保存
-6
t
W
/ t
V
OH
V
OL
C
L
V
IH
V
IL
t
TLH
“H”レベル出力電圧
“L”レベル出力電圧
出力負荷条件（ CMOS）
“H”レベル入力電圧
“L”レベル入力電圧
出力上昇時間
30 mA Max.
16 mA Max.
50
µA
Max.
40
%∼60 %
ー
40
%∼60 %
ー
V
DD
-0.4 V Min.
0.4 V Max.
–
–
15 pF
25 pF
ST=GND (S＊W)
CMOS負荷：1 / 2V
DD
レベル
TTL負荷：1.4 Vレベル
I
OH
=-16 mA(＊TW/＊HW)/-8 mA(＊CW)
I
OL
=16 mA(＊TW/＊HW)/8 mA(＊CW)
f
0
≦135 MHz
f
0
≦135 MHz
f
0
≦125 MHz
OE,ST端子
OE,ST端子
f
0
≦90 MHz
無負荷 (f
o
=Max. 値 )
OE=GND (P＊W)
5 TTL + 15 pF
–
–
2.0 V Min.
0.8 V Max.
2.0 ns Max.
15 pF
–
–
15 pF
–
0.7 V
DD
Min.
0.2 V
DD
Max.
出力下降時間
発振開始時間
経 時 変 化
耐 衝 撃 性
t
THL
t
OSC
f
a
S.R.
4.0 ns Max.
ー
2.0 ns Max.
4.0 ns Max.
ー
ー
ー
3.0 ns Max.
ー
ー
ー
ー
3.0 ns Max.
10 ms Max.
-6
±5
×
10 / 年 Max.
±20
×
10 Max.
-6
3.0 ns Max.
ー
ー
3.0 ns Max.
TTL負荷: 0.8 V → 2.0 V, C
L
=Max.
TTL負荷: 0.4 V → 2.4 V, C
L
=Max.
CMOS負荷: 20 % V
DD
→ 80 % V
DD
, C
L
=Max.
TTL負荷: 2.0 V → 0.8 V, C
L
=Max.
TTL負荷: 2.4 V → 0.4 V, C
L
=Max.
CMOS負荷: 80 % V
DD
→ 20 % V
DD
, C
L
=Max.
最小値動�½�電圧のtを０とする
Ta=+25
˚C,
V
DD
=5 V / 3.3 V, 初年度
硬木上750
mm
×
3回または
29400 m/s
2
×
0.3 ms
×
1/2 Sine Wave
×
3方向
38
EPSONTOYOCOM [ EPSON TOYOCOM ]
