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    FDP150N10A-F102

     N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，50A，15mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GRM188R71E224KA88#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    NTTFS1D2N02P1E

     MOSFET - Power, Single N-Channel, Power33, 25V, 1.0mW, 180 A
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GRM216B11A224KC01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0335C1E1R2CA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    ECH8659-TL-W

     双 N 沟道功率 MOSFET 30V，7A，24mΩ
    开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    IPB65R155CFD7

     英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R155CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。
    电站栅服务器电信栅极
    0 INFINEON

    GCQ1555C1H5R9BB01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM319B11H393JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM31MB11H333MA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    NVTYS007N04CTWG

     MOSFET – Power, Single, N-Channel, 40 V, 8.6 mΩ, 49 A
    暂无信息
    0 ONSEMI

    FDS89161

     双 N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，2.7A，105mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    FDD5690

     N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，30A，27mΩ
    开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    GRM033R11C332MA88#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM1555C2A271JE01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

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