eorex
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
=0°C ~70°C)
符号
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RCD
t
RRD
t
CCD
t
WR
t
REF
t
XSR
参数
主动对主动命令
（注6 ）
期
至预充电命令
（注6 ）
期
预充电到激活命令
（注6 ）
期
激活到读/写延迟时间
（注6 ）
EM48AM1684VBE
AC运行试验特性（续）
-7
分钟。
63
44
18
18
2
1
2
-
75
马克斯。
-
100K
-
-
-
-
-
64
-
-7.5
分钟。
马克斯。
65
45
20
20
2
1
2
-
75
-
100K
-
-
-
-
-
64
-
单位
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ms
ns
ACTIVE （ 1 ）活动（另一个）
（注6 ）
命令
读/写命令
读/写命令
写恢复时间
刷新时间（ 8,192周期）
退出自刷新为ACTIVE命令
*所有电压参考V
SS
.
注6 ：
这些参数占时钟周期的数目和依赖于操作
频率的时钟，具体如下：
时钟周期的数目=的定时/时钟周期指定的值（计数分数作为
整数）
推荐的上电和初始化
上和初始化序列如下功率保证设备进行预充到每个用户的
特定需要。 （与传统DRAM ）在电源上，所有的V
DD
和V
DDQ
引脚必须建立
同时，以规定的电压，当输入信号被保持在“NOP”状态。电源
电压不得超过V
DD
+ 0.3V任何输入引脚或V
DD
耗材。 （在同一CLK信号开始
时间）
接通电源后， 200微秒的初始暂停，需要遵循使用所有银行的预充电
预充电命令。
为了防止电源接通期间的DQ总线上的数据争用，它要求该DQM和CKE引脚是
保持在最初的暂停时段高点。一旦所有的银行都已预充电，该模式寄存器设置
命令必须发出初始化模式寄存器。最少八个自动刷新周期（ CBR ）
也是必需的，并且这些可能之前或编程模式寄存器后进行。
2011年10月
8/17
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