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    FQA140N10

     功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100V，140A，10mΩ，TO-3P
    局域网PC开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    V23990-P544-A27Y-PM

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
    暂无信息
    0 VINCOTECH

    NCV7381CDP0R2G

     FlexRay® Transceiver, Clamp 30
    电信光电二极管电信集成电路
    0 ONSEMI

    GRM1885C1H8R7DA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    EMH2314-TL-H

     Power MOSFET, -12V, 37mΩ, -5A, Dual P-Channel
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GRM155C80G156ME05#

     移动设备
    暂无信息
    0 MURATA

    GQM1555G2D1R0CB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    GQM0335C2D9R2WB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0225C1C7R4BA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GJM0225C1C7R0WB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    IMZA120R020M1H

     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
    开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    0 INFINEON

    RFNL10BGE6S

     RF501BGE2S是超低VF、低反向恢复损耗的硅外延平面型超快速恢复二极管。适合一般整流及PFC用途（电流临界模式）。
    超快速恢复二极管功率因数校正
    1 ROHM

    NUP1301

     Ultra low capacitance ESD protection arrayProduction
    局域网光电二极管
    0 NEXPERIA

    GQM2195C2E1R8DB12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0223C1E2R1CA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

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