eorex
特点
•内部双数据速率的架构2
每个时钟周期的访问。
• 1.8V
±0.1V
VDD / VDDQ
• 1.8V LV- COMS兼容的I / O
•突发长度为2 （B / L） ， 4 ， 8 ， 16
• 3时钟读取延迟
•双向，间歇性数据选通（ DQS ）
•除了数据和DM所有输入进行采样
在系统时钟的上升沿。
•数据掩模（DM）写入数据
•顺序&交错突发类型可用
•每个突发访问自动预充电选项
• DQS边沿对齐与读周期数据
• DQS中心对齐与写周期的数据
•无DLL ， CK到DQS不同步
•深度掉电模式
•部分阵列自刷新（ PASR ）
•自动温度补偿自刷新
（ TCSR ）通过内置的温度传感器
•自动刷新和自刷新
• 8,192刷新周期/ 64ms的
EM42BM3284LBA
1GB （ 8M
×
4Bank
×
32)
双倍数据速率SDRAM
描述
该EM42BM3284LBA是双数据速率的
同步DRAM制造用超高
性能
CMOS
过程
含
该组织为8Meg话1,073,741,824位
×4银行由32位。
1GB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。
数据路径内部预取多个比特和
它传输的上升沿和下降沿的数据
的系统时钟。这意味着双倍的数据
带宽可以在I / O引脚来实现。
可用的软件包： TFBGA - 90B （ 13mmx11mm ） 。
订购信息
部件号
EM42BM3284LBA-6F
EM42BM3284LBA-75F
组织
32M ×32
32M ×32
马克斯。频率
为166MHz / DDR333 @ CL3
为133MHz / DDR266 @ CL3
包
TFBGA-90B
TFBGA-90B
GRADE
广告
广告
Pb
免费
免费
* EOREX保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2009年2月
2/24
www.eorex.com
EOREX [ EOREX CORPORATION ]
