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EM44BM1684LBB 参数 Datasheet PDF下载

EM44BM1684LBB图片预览
型号: EM44BM1684LBB
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内容描述: 512MB ( 8M × 4Bank × 16 )双数据速率2 SDRAM [512Mb (8M×4Bank×16) Double DATA RATE 2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 29 页 / 1467 K
品牌: EOREX [ EOREX CORPORATION ]
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eorex
OCD Default Setting Table
Symbol
-
-
-
-
Parameter
Output Impedance
Pull-up / Pull down mismatch
Output Impedance step size for
OCD calibration
Output Slew Rate
Min.
12.6
0
0
+1.5
EM44BM1684LBB
Typ.
18
-
-
-
Max.
23.4
4
1.5
5.0
Units
V/ns
AC Operating Test Conditions
(V
DD
=1.8V
±
0.1V, T
A
=0°C ~85°C)
Symbol
VSWING(max)
SLEW
V
REF
Item
Input Signal maximum peak to peak swing
Input Signals minimum slew rate
Input Reference Level
Conditions
1.0
V
1.0 V/ns
0.5*V
DDQ
AC Operating Test Conditions(Continued)
Symbol
V
ID
V
IX
V
OX
V
OH
V
OL
Parameter
AC differential Input Voltage
AC differential corss point Input Voltage
AC differential corss point Output Voltage
High Level Output Voltage
Low Level Output Voltage
Min.
0.5
0.5*V
DDQ
- 0.175
0.5*V
DDQ
- 0.125
V
TT
+0.603
-
Max.
V
DDQ
+0.6
0.5*V
DDQ
+ 0.175
0.5*V
DDQ
+ 0.125
-
V
TT
-0.603
Units
V
V
V
V
V
Symbol
V
IH
V
IL
Parameter
Input Logic High Voltage
Input Logic Low Voltage
DDR2-400/533
Min.
V
REF
+ 0.25
-
Max.
-
V
REF
- 0.25
DDR2-667
Min.
V
REF
+ 0.2
-
Max.
-
V
REF
- 0.2
Units
V
V
Jan. 2008
9/29
www.eorex.com