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EM42BM3284LBA-6F 参数 Datasheet PDF下载

EM42BM3284LBA-6F图片预览
型号: EM42BM3284LBA-6F
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内容描述: 1GB ( 8M × 4Bank × 32 ),双倍数据速率SDRAM [1Gb (8M×4Bank×32) Double DATA RATE SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 24 页 / 1075 K
品牌: EOREX [ EOREX CORPORATION ]
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eorex  
EM42BM3284LBA  
AC Operating Test Characteristics  
(VDD=1.8V±0.1V, TA=0°C ~70°C)  
-6  
-7.5  
Symbol  
Parameter  
Units  
Min.  
2
Max.  
5
Min.  
2
Max.  
6
tDQCK  
DQ output access from CLK,/CLK  
ns  
ns  
tCK  
tDQSCK DQS output access from CLK,/CLK  
tCL,tCH CL low/high level width  
2
5
2
6
0.45  
0.55  
0.45  
0.55  
tCK  
Clock Cycle Time  
6
7.5  
ns  
tDH,tDS DQ and DM hold/setup time  
0.6  
0.8  
ns  
ns  
DQ and DM input pulse width for  
tDIPW  
1.75  
1.75  
each input  
Data out high/low impedance time  
from CLK,/CLK  
DQS-DQ skew for associated DQ  
signal  
Write command to first latching DQS  
transition  
tHZ,tLZ  
1
5.5  
0.5  
1
6
ns  
ns  
tCK  
tCK  
tCK  
tDQSQ  
0.6  
1.25  
tDQSS  
0.75  
0.35  
2
1.25  
0.75  
0.35  
2
tDSL,tDS  
DQS input valid window  
H
Mode Register Set command cycle  
tMRD  
time  
tWPRES Write Preamble setup time  
0
0
ns  
tCK  
tCK  
tWPRE  
tWPST  
tIH,tIS  
tRPRE  
Write Preamble  
Write Postamble  
0.25  
0.4  
0.25  
0.4  
0.6  
1.1  
0.6  
1.1  
Address/control input hold/setup  
time  
1.1  
1.3  
ns  
Read Preamble  
0.9  
0.9  
tCK  
Feb. 2009  
www.eorex.com  
9/24  
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