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EM42BM1684RBA-6F 参数 Datasheet PDF下载

EM42BM1684RBA-6F图片预览
型号: EM42BM1684RBA-6F
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内容描述: [DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 403 K
品牌: EOREX [ EOREX CORPORATION ]
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EM42BM1684RBA  
AC Operating Test Conditions  
(VDD=2.5V±0.2V, TA=0°C ~70°C)  
AC Operating Test Characteristics  
(VDD=2.5V±0.2V, TA=0°C ~70°C)  
Symbol  
-5  
-6  
Parameter  
Units  
Min.  
-0.7  
Max.  
0.7  
Min.  
-0.7  
Max.  
0.7  
tDQCK  
tDQSCK  
tCL,tCH  
DQ output access from CLK,/CLK  
DQS output access from CLK,/CLK  
CL low/high level width  
ns  
ns  
tCK  
-0.55 0.55  
-0.6  
0.45  
-
0.6  
0.55  
-
0.45  
5
0.55  
CL=3  
Clock Cycle Time  
CL=2.5  
10  
-
tCK  
ns  
-
6
12  
-
tDH,tDS  
tDIPW  
DQ and DM hold/setup time  
0.4  
-
0.45  
ns  
ns  
DQ and DM input pulse width for  
each input  
1.75  
-0.7  
-
-
1.75  
-0.7  
-
-
Data out high/low impedance time  
from CLK,/CLK  
tHZ,tLZ  
tDQSQ  
tDQSS  
0.7  
0.4  
0.7  
0.4  
ns  
ns  
DQS-DQ skew for associated DQ  
signal  
Write command to first latching  
DQS transition  
0.72  
0.35  
2
1.25  
0.75  
0.35  
2
1.25  
tCK  
tCK  
tCK  
tDSL,tDSH DQS input valid window  
-
-
-
-
Mode Register Set command cycle  
tMRD  
time  
tWPRES  
tWPRE  
tWPST  
Write Preamble setup time  
Write Preamble  
Write Postamble  
0
-
-
0
-
-
ns  
tCK  
tCK  
0.25  
0.4  
0.25  
0.4  
0.6  
0.6  
Address/control input hold/setup  
time (fast slew rate)  
tIH,tIS  
tRPRE  
0.6  
-
0.75  
0.9  
-
ns  
Read Preamble  
1.1  
tCK  
Dec. 2010  
10/23  
www.eorex.com