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EN29LV320T-70TIP 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV320T-70TIP图片预览
型号: EN29LV320T-70TIP
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内容描述: 32兆位( 4096K ×8位/ 2048K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [32 Megabit (4096K x 8-bit / 2048K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 49 页 / 420 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV320  
Test Conditions  
3.3 V  
2.7 kΩ  
Device under Test  
CL  
6.2 kΩ  
Note: Diodes are IN3064 or equivalent  
Test Specifications  
Test Conditions  
Output Load  
-70  
-90  
Unit  
1 TTL Gate  
100  
Output Load Capacitance, CL  
Input Rise and Fall times  
Input Pulse Levels  
30  
5
pF  
ns  
V
5
0.0-3.0  
0.0-3.0  
Input timing measurement  
reference levels  
Output timing measurement  
reference levels  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
V
V
Notes:  
1. Vcc=3.0 – 3.6 V for 70ns read operation  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
33  
Rev. E, Issue Date: 2006/05/16  
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