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EN29GL064B-70BIP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29GL064B-70BIP
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内容描述: 64兆位( 8192K ×8位/ 4096K ×16位)闪存 [64 Megabit (8192K x 8-bit / 4096K x 16-bit) Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 66 页 / 3236 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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Preliminary EN29GL064  
Table 22. Temporary Sector Unprotect  
Speed Option  
-70  
Unit  
ns  
Parameter  
Description  
Std  
tVIDR  
tRSP  
VID Rise and Fall Time  
Min  
Min  
500  
4
RESET# Setup Time for Temporary  
Sector Unprotect(Note)  
µs  
Notes: Not 100% tested.  
Figure 22. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram  
VID  
RESET#  
0 or 3 V  
0 or 3 V  
tVIDR  
tVIDR  
CE#  
WE#  
tRSP  
RY/BY#  
Figure 23. Sector Protect/Unprotect Timing Diagram  
VID  
Vcc  
RESET#  
0V  
0V  
tVIDR  
tVIDR  
SA,  
A6,A1,A0  
Valid  
60h  
Valid  
Valid  
Data  
60h  
40h  
Status  
Sector Protect/Unprotect  
Verify  
CE#  
>0.4µS  
WE#  
>1µS  
Sector Protect: 150 uS  
Sector Unprotect: 15 mS  
OE#  
Notes:  
Use standard microprocessor timings for this device for read and write cycles.  
For Sector Protect, use A6=0, A1=1, A0=0. For Sector Unprotect, use A6=1, A1=1, A0=0.  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.eonssi.com  
58  
Rev. A, Issue Date: 2009/3/20  
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