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    EN29F010-70SIP 参数 Datasheet PDF下载

    EN29F010-70SIP图片预览
    型号： EN29F010-70SIP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1兆位（ 128K ×8位）， 5V闪存 [1 Megabit (128K x 8-bit) 5V Flash Memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 35 页 / 428 K
    品牌： EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
     浏览型号EN29F010-70SIP的Datasheet PDF文件第26页浏览型号EN29F010-70SIP的Datasheet PDF文件第27页浏览型号EN29F010-70SIP的Datasheet PDF文件第28页浏览型号EN29F010-70SIP的Datasheet PDF文件第29页浏览型号EN29F010-70SIP的Datasheet PDF文件第31页浏览型号EN29F010-70SIP的Datasheet PDF文件第32页浏览型号EN29F010-70SIP的Datasheet PDF文件第33页浏览型号EN29F010-70SIP的Datasheet PDF文件第34页  
    EN29F010  
    SWITCHING WAVEFORMS (continued)  
    Figure 10. Alternate /CE Controlled Write Operation Timings  
    Notes:  
    1. PA is address of the memory location to be programmed.  
    2. PD is data to be programmed at byte address.  
    3. /DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.  
    4.  
    DOUT is the output of data written to the device.  
    5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.  
    This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
    or modifications due to changes in technical specifications.  
    ©2003 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
    30  
    Rev. A, Issue Date: 2003/10/20  

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