EM6325
电气特性
（续）
除非另有规定： V
DD
= 0.9V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （注1 ） 。
参数
符号
条件
EM6325C
复位超时周期
t
POR
（注2和4）
V
DD
从0V到V
TH （典型值）
+15%
T
A
= +25°C
EM6325A
EM6325B
EM6325D
传播延迟时间
V
DD
为RESET （复位）延迟
漏极开路
RESET
产量
电压
t
P
V
DD
从V下降
TH （典型值）
+ 0.2V至V
TH （典型值）
-0.2V
（注2 ） 。牛逼
A
= +25°C
V
DD
>1V
V
OL
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
V
OL
推挽RESET / RESET
输出电压
V
OH
输出漏电流
手动复位（
MR
)
MR输入低电平
MR输入高
MR到复位延迟
在MR（注5）脉冲宽度
MR内部上拉电阻
V
地铁
低
V
地铁
高
t
MD
t
PMD
R
MR
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= +25°C
0.7
•
V
DD
0.3
1
4.8
15
31
0.3
•
V
DD
V
V
μ
s
μ
s
民
155
0.7
19.4
1240
2
-
-
-
-
-
-
0.8
2
4
-
典型值
200
1.6
25
1600
130
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
224
3.8
28
1792
255
0.3
0.3
0.35
0.3
0.3
0.35
-
-
-
0.5
单位
ms
μ
s
I
OL
=100
μ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OL
=100
μ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OH
=-30
μ
A
I
OH
=-1.5mA
I
OH
=-3mA
V
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
I
泄漏
只为EM6325_Y （漏极开路）
μ
A
k
Ω
注1 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
注2 ：
RESET （复位）
开。
注4 ：
标准版吨
POR
为200ms （典型值） ，可在任何时候。其他选项（ 1.6ms ， 25ms的， 1600ms之间）都可以
通过掩膜选项并在最小起订量。请联系EM销售。
注5 ：
脉冲宽度必须大于1μs的时间，以确保
RESET
（ RESET ）
去激活。
版权
©
2005年， EM微电子，马林SA
4
www.emmicroelectronic.com
EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
