EM4170
绝对最高可评级
参数
符号
电源电压
V
POS- REG
（未调整）
分钟。
-0.3
马克斯。
9.5
单位
V
工作条件
参数
符号最小值。
操作
T
OP
-40
温度
典型值。
+25
MAX 。单位
+85
°C
电源电压
（监管）
电压在剩余
引脚例外COIL1 ，
COIL2
储存温度
静电放电
（ MIL-STD- 883 C法
3015)
最大电流
致于COIL1和
COIL2
V
DD
V
针
T
商店
V
ESD
-0.3
5.5
V
V
°C
V
最大线圈
当前
频率
线圈输入
I
COIL
F
COIL
-10
100
125
+10
150
mA
千赫
V
SS
- 0.3 V
DD
+ 0.3
-55
1000
+ 125
I
COIL
-30
+ 30
mA
处理程序
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。曝光超越规定
电气特性可能会影响器件的可靠性
电气参数和功能都不能保证
当电路被曝光。
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而，防静电
应采取预防措施作为用于任何其它的CMOS
组件。除非另有说明，适当的
操作时，所有的端子电压是仅发生
保持在电源电压范围内。
电气特性
V
DD
= V
POS
_
REG
= 2.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 125 kHz的正弦波，V
COIL
= 1V
pp,
T
op
= 25 ° C除非另有规定ED 。
参数
电源电压（非稳压）
电源电压（调节）
EEPROM读取电压
符号
V
POS- REG
V
DD
V
RD
条件
V
POS_REG
= MAX （注1 ）
读取模式
（注2 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
1)
4.2
单位
V
V
V
2.8
2.0
2.5
3.5
EEPROM的写入电压
电源电流/读
电源电流/写@ 25°C
电源电流/写
调制器的电压降
V
EE
I
rd
I
wr25
I
wr
V
ON
阅读模式V
DD
=2.0V
写模式，V
DD
=2.5V
写模式，V
DD
=2.6V
-40°C<T<85°C
V
Coil1
- V
SS
和V
Coil2
- V
SS
I
COIL
= 100µA
V
Coil1
- V
SS
和V
Coil2
- V
SS
I
COIL
= 5毫安
10千赫， 100毫伏
pp
-40 ° C至85°C
瑞星供应
供应下降
最小的时钟提取
最大的时钟提取
全部删除/写入所有
V
5.0
30
38
70
µA
µA
µA
V
V
pF
PPM / K
%
V
V
V
pp
50
mV
pp
周期
岁月
0.30
0.45
0.60
2.50
Resonnance电容器
电容温度。 COEFF
电容公差/片
POR水平高
POR水平低
时钟提取输入分钟
时钟提取输入最大
EEPROM数据的耐力
EEPROM保留
C
r
TKC
r
TolC外
r
V
公屋
V
PRL
V
CLKmin
V
clkmax
N
cy
T
RET
170
-75
-2
200
230
+75
+2
2.4
2.2
2.0
1.8
0.6
100000
10
0.36
TOP = 55°C后， 100,000次
（注3）
注1 ：最大电压是通过强制10毫安上Coil1 ， Coil2定义
注2 ：该电路不起作用低于POR级
注3 ：根据千小时在150℃
版权
2002年， EM微电子，马林SA
3
www.emmicroelectronic.com
EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
