EM3027
参数
动态电流
SPI接口
符号
I
DD
测试条件
SCK = 200千赫
（见注2 ）
SCK = 1兆赫
（见注2 ）
SCK = 1兆赫
（见注2 ）
相对于V
CC
相对于V
CC
V
CC
相到V
后
=
3.0V
CS ， CLKOE ， SI ， SCL / SCK ，
SDA
0.0 < V
IN
＆ LT ; V
CC
I
OL
= 0.4毫安
I
OH
- 0.1毫安
I
OL
= 1.5毫安
I
OH
= 1.5毫安
I
OL
= 5.0毫安
I
OH
= 2.0毫安
5.0
-40至125
4.5
3.3
-40至125
2.7
0.8
V
1.4
-40至125
1.0
0.25
V
1.4〜 5.0
1.4〜 5.0
V
CC
1.4
3.3
5.0
温度。 ℃，
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
1.8
1.0
20
0.2V
CC
0.8V
CC
-1.5
1.5
0.2
V
民
典型值
最大
18
55
75
2.1
1.4
V
V
mV
µA
单位
低电压检测
level1
低电压检测
level2
切换迟滞
输入参数
低电平输入电压
高电平输入电压
输入漏
输出参数
低电平输出电压
高电平输出
电压
低电平输出电压
高电平输出
电压
低电平输出电压
高电平输出
电压
输出成为HiZ漏
INT
振荡器
启动电压
启动时间
频率稳定性
电压
对X1输入电容
输出电容
在X2
涓流充电器
限流
电阻器
V
low1
V
low2
V
HYST
V
IL
V
IH
I
IN
V
OL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
V
OH
V
µA
I
LEAK_OUT
V
STA
T
STA
f / （F V ）
INT不活跃
T
STA
< 10S
1.4〜 5.0
-40至125
-40至125
-40至125
25
-1.5
1.2
1
0.5
1.5
µA
V
s
PPM /
V
5.0
1.8V ≤ V
CC
= 5.5V ，T
A
=
+25°C
T
A
= + 25 ° C，F = 32.768kHz的，
V
MEAS
= 0.3V （注3）
T
A
= + 25 ° C，F = 32.768kHz的，
V
MEAS
= 0.3V （注3）
V
CC
=5.0V, V
后
=3.0V
V
CC
=5.0V, V
后
=3.0V
V
CC
=5.0V, V
后
=3.0V
V
CC
=5.0V, V
后
=3.0V
V
low1
＆ LT ; V
CC
≤ 5.5V
3
2
C
IN
C
OUT
25
25
25
25
25
25
40
-40至125
16.5
pF
15.0
80
20
5.0
1.5
+/- 1
+/- 4
+/- 2
+/- 10
R80k
R20k
R5k
R1.5k
T
E
kΩ
温度计
精确
表7
以下参数产品测试时：我
DD
, V
low1
, V
low2
, V
IL
, V
IH
, V
OL
, V
OH
, I
IN
, I
LEAK_OUT
这些参数我
CC
, V
HYST
, V
STA
, T
STA
, C
IN
, C
OUT
,
f/(f*
V） ，T
E
的特点是IC的资格过程中。
注意事项：
1. SDA = V
SS
连续时钟应用在SCL （V
IL_SCL
< 0.05V ，V
IH_SCL
> 0.95V
CC
)
2， CS ， SI = V
CC
，连续时钟应用在SCK ，所以没有连接。 （V
IL_SCK
< 0.05V
CC
, V
IH_SCK
> 0.95V
CC
)
需要注意的是在CS一个100kΩ下拉电阻。
3. V
MEAS
：峰值到峰值振幅电容测量期间
4.低于0 ℃时，在Vcc的负斜率将在一个时间可长达1秒停止振荡。这是不
依赖于坡发生了转换速率低至2V /秒。
5.有些芯片的版本不支持“涓流充电”和“切换”的功能。
版权
2013年， EM微电子，马林SA
3027 - DS.doc ， 8.0版， 25 -JAN- 13
5
www.emmicroelectronic.com
°C
EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
