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A3024SO20B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: A3024SO20B
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内容描述: 超低功耗的8位32千赫的RTC与数字微调,用户RAM和高集成 [Very Low Power 8-Bit 32 kHz RTC with Digital Trimming, User RAM and High Level Integration]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 151 K
品牌: EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
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R
A3024
绝对最大额定值
参数
在V最大电压
DD
马克斯。电压其余引脚
分钟。电压上的所有引脚
最大存储温度
最低储存温度
最大静电放电
以MIL -STD- 883C方法3015
最大的焊接条件
符号条件
V
DDMAX
V
最大
V
T
STOmax
T
STOmin
V
SMAX
T
SMAX
V
SS
+ 7.0V
V
DD
+ 0.3V
V
SS
- 0.3V
+125
O
C
-55
O
C
1000V
250℃ X 10秒
O
或电场;但是,建议在正常的预防措施
必须注意对于任何其他的CMOS组件。除非
另外指定,否则正确的操作只能发生在所有
端电压保持在电源电压范围内。
未使用的输入必须连接到一个定义的逻辑电压
的水平。
工作条件
参数
工作温度
逻辑电源电压
电源电压的dv / dt
(电&向下)
去耦电容
水晶特点
频率
负载电容
串联电阻
符号最小值。典型值。马克斯。单位
T
A
V
DD
dv / dt的
100
f
C
L
R
S
32.768
8.2 12.5
35
50
-40
2.0
+85
5.0 5.5
6
O
C
V
表1
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。曝光超越规定
操作条件下可能影响器件的可靠性和事业
故障。
V/
m
s
nF
千赫
pF
kW
表2
办理程序
该器件具有内置保护,防止高电压的静电
7
电气特性
V
DD
= 5.0V ± 10%, V
SS
= 0 V ,T
A
= -40至+85
O
C,除非另有规定编
参数
待机电流
1)
符号测试条件
I
DD
I
DD
V
DD
= 3 V , PF = 0
V
DD
= 5 V , PF = 0
CS = 4 MHz时, RD = V
SS
,
WR = V
DD
I
OL
= 8毫安
I
OH
= 1毫安, V
DD
= 2 V
T
A
= +25
0
C
T
A
= +25
0
C
I
OL
= 6毫安
I
OH
= 6毫安
T
A
= +25 C
V
ILS
= 0.8 V
V
SS
& LT ; V
IN
& LT ; V
DD
CS = 1
T
A
³
+25
O
C
0
分钟。
典型值。
1.2
2
马克斯。
10
15
1.5
单位
mA
mA
mA
动态电流
2)
IRQ (漏极开路)
输出低电压
输出低电压
输入和输出
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输出逻辑低电平
输出逻辑高电平
PF激活电压
PF滞后
拉在SYNC
输入漏
输出三态泄漏
振荡器特性
启动电压
启动时间
频率特性
频率容差
频率稳定度
温度稳定性
1)
V
OL
V
OL
0.4
0.4
V
V
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
PFL
V
H
I
LS
I
IN
I
TS
V
STA
V
STA
T
STA
DF /女
f
STA
t
STA
0.8
×
V
DD
2.4
0.5
×
V
DD
100
20
10
10
2
2.5
1
0.2
×
V
DD
0.4
1000
1000
V
V
V
V
V
mV
mA
nA
nA
V
V
s
T
A
= + 25℃地址。 10十六进制= 00 (十六进制)
3)
2.0
£
V
DD
£
5.5 V
地址。 10十六进制= 00 (十六进制)
O
210
1
参见图。五
4)
251
5
PPM
PPM / V
PPM
表3
2)
3)
4)
与PFO = 0 (Ⅴ
SS
)所有的I / O焊盘可三态,测试。
与PFO = 1 (Ⅴ
DD
) , CS = 1 (V
DD
)和所有其他I / O焊盘固定到V
DD
或V
SS
:同样的待机电流,未经测试。
所有其它输入到V
DD
和所有输出打开。
在给定的温度下进行。
见图。 4
2