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EM6111FS8CW-10L 参数 Datasheet PDF下载

EM6111FS8CW-10L图片预览
型号: EM6111FS8CW-10L
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内容描述: 256K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 73 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
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融合存储&逻辑解决方案公司
特点
工艺技术:采用0.18μm CMOS全
组织: 256K ×16位
电源电压: 2.7V 〜 3.3V
低数据保持电压: 1.5V (最小值)。
三态输出与TTL兼容
封装类型: 48 FPBGA 6.0x7.0
EM641FU16E系列
低功耗, 256Kx16 SRAM
概述
该EM641FU16E家庭由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级
包装系统设计的用户灵活性。该fami-
在于还支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品
家庭
EM641FU16E
操作
温度
工业级(-40 〜 85
o
C)
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
, TYP 。 )
1
µA
操作
(I
CC1
的.max )。
2毫安
PKG型
2.7V~3.3V
55
1)
/70ns
48 FPBGA
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
引脚说明
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
5
6
功能框图
预充电电路
LB
I / O
9
OE
UB
A
0
A
3
A
5
A
17
DNU
A
14
A
12
A
9
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CS
I / O
2
I / O
4
I / O
5
I / O
6
WE
A
11
DNU
I / O
1
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
7
I / O
8
DNU
A A
12
A A A
15
A A
11
13
14
16
17
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
C
C
行拣选的人
V
SS
存储阵列
2048 x 2048
I / O
1 0
I / O
11
V
SS
V
C C
I / O
12
I / O
13
I / O1 〜 I / O8
I / O9 〜 I / O16
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
I / O
1 5
I / O
14
I / O
1 6
DNU
DNU
A
8
48 FPBGA :俯视图(球下)
W
E
O
E
UB
控制逻辑
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
17
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
DNU
功能
电源
高字节( I / O
9~16
)
低字节( I / O
1~8
)
不要使用
LB
CS
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
2