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    EM611FV16DW-12LL 参数 Datasheet PDF下载

    EM611FV16DW-12LL图片预览
    型号： EM611FV16DW-12LL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [512K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 71 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM611FV16DW-12LL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM611FV16DW-12LL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM611FV16DW-12LL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM611FV16DW-12LL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM611FV16DW-12LL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM611FV16DW-12LL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM611FV16DW-12LL的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM611FV16DW-12LL的Datasheet PDF文件第11页  
    融合存储&逻辑解决方案公司
    数据保持特性
    参数
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据保留时间
    手术恢复时间
    笔记
    EM640FP8系列
    低功耗， 512Kx8 SRAM
    符号
    V
    DR
    I
    DR
    t
    SDR
    t
    RDR
    测试条件
    I
    SB1
    测试条件
    （芯片已禁用）
    1)
    民
    1.0
    -
    0
    典型值
    -
    最大
    2.2
    2
    -
    单位
    V
    µA
    V
    CC
    = 1.2V ，我
    SB1
    测试条件
    （芯片已禁用）
    1)
    看到数据保存波形
    0.5
    -
    -
    t
    RC
    ns
    -
    1.请参阅我
    S B 1
    数据表第4页的测量条件。
    数据保存波形
    CS
    1
    控制
    V
    cc
    1.65V
    t
    SDR
    数据保持方式
    t
    RDR
    1.4V
    V
    DR
    CS
    1
    GND
    CS
    1
    > VCC- 0.2V
    CS
    2
    控制
    V
    cc
    1.65V
    CS
    2
    t
    SDR
    数据保持方式
    t
    RDR
    V
    DR
    0.4V
    GND
    CS
    2
    ＆ LT ; 0.2V
    9

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