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    EM610FS16DW-55S 参数 Datasheet PDF下载

    EM610FS16DW-55S图片预览
    型号： EM610FS16DW-55S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [512K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 71 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM610FS16DW-55S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EM610FS16DW-55S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM610FS16DW-55S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM610FS16DW-55S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM610FS16DW-55S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM610FS16DW-55S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM610FS16DW-55S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM610FS16DW-55S的Datasheet PDF文件第9页  
    融合存储&逻辑解决方案公司
    建议的直流工作条件
    1)
    参数
    电源电压
    地
    输入高电压
    输入低电压
    1.
    2.
    3.
    4.
    EM640FP8系列
    低功耗， 512Kx8 SRAM
    符号
    V
    CC
    V
    SS
    V
    IH
    V
    IL
    民
    1.65
    0
    1.4
    -0.3
    3)
    典型值
    1.8
    0
    -
    -
    最大
    2.2
    0
    V
    CC
    + 0.3
    2)
    0.4
    单位
    V
    V
    V
    V
    TA = -40 〜85
    o
    C，另有规定
    过冲： V
    CC
    如果脉冲+1.0 V形槽宽度为20ns <
    冲：如果脉冲-1.0 V形槽宽度为20ns <
    过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
    .
    电容
    1)
    （ F = 1MHz的，T
    A
    =25
    o
    C)
    项
    输入电容
    输入/输出继电器容量
    1.电容进行采样，而不是100 ％测试
    符号
    C
    IN
    C
    IO
    测试条件
    V
    IN
    =0V
    V
    IO
    =0V
    民
    -
    -
    最大
    8
    10
    单位
    pF
    pF
    DC和工作特性
    参数
    输入漏电流
    输出漏电流
    工作电源
    符号
    I
    LI
    I
    LO
    I
    CC
    I
    CC1
    平均工作电流
    I
    CC2
    输出低电压
    输出高电压
    V
    OL
    V
    OH
    V
    IN
    = V
    SS
    到V
    CC
    CS
    1
    =V
    IH
    ， CS
    2
    =V
    IL
    或OE = V
    IH
    或WE = V
    IL
    , V
    IO
    =V
    SS
    到V
    CC
    I
    IO
    = 0毫安， CS
    1
    = V
    IL
    ， CS
    2
    = W E = V
    IH
    , V
    IN
    =V
    I H
    或V
    IL
    周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
    IO
    =0mA,
    CS
    1
    <0.2V ， CS
    2
    ＆ GT ; V
    CC
    -0.2V,
    V
    IN
    <0.2V或V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    -0.2V
    周期时间=最小，我
    IO
    = 0毫安， 100 ％的关税，
    CS
    1
    = V
    IL
    ， CS
    2
    =V
    IH ，
    V
    IN
    = V
    IL
    或V
    I H
    测试条件
    民
    -1
    -1
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    最大
    1
    1
    2
    2
    单位
    µA
    µA
    mA
    mA
    70ns
    -
    -
    1.4
    -
    -
    -
    12
    0.2
    -
    mA
    V
    V
    I
    OL
    = 0.1毫安
    I
    OH
    = -0.1mA
    CS
    1
    ＆ GT ; V
    CC
    -0.2V ， CS
    2
    ＆ GT ; V
    CC
    -0.2V （ CS
    1
    控制）
    或0V< CS
    2
    <0.2V （ CS
    2
    控制） ，
    其他输入= 0 〜V
    CC
    （典型值条件：V
    CC
    = 1.8V @ 25℃）
    （最大条件：V
    CC
    = 2.2V @ 85℃ ）
    o
    o
    待机电流（ CMOS ）
    I
    SB1
    LL
    LF
    -
    1
    5
    µA
    4

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