欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EM611FS16DW-12LL 参数 Datasheet PDF下载

EM611FS16DW-12LL图片预览
型号: EM611FS16DW-12LL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 512K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [512K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 71 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
 浏览型号EM611FS16DW-12LL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM611FS16DW-12LL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM611FS16DW-12LL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM611FS16DW-12LL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM611FS16DW-12LL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM611FS16DW-12LL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM611FS16DW-12LL的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM611FS16DW-12LL的Datasheet PDF文件第11页  
merging Memory & Logic Solutions Inc.
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
Parameter
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
NOTES
EM640FP8 Series
Low Power, 512Kx8 SRAM
Symbol
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
Test Condition
I
SB1
Test Condition
(Chip Disabled)
1)
Min
1.0
-
0
Typ
-
Max
2.2
2
-
Unit
V
µA
V
CC
=1.2V, I
SB1
Test Condition
(Chip Disabled)
1)
See data retention wave form
0.5
-
-
t
RC
ns
-
1. See the I
S B 1
measurement condition of datasheet page 4.
DATA RETENTION WAVE FORM
CS
1
Controlled
V
cc
1.65V
t
SDR
Data Retention Mode
t
RDR
1.4V
V
DR
CS
1
GND
CS
1
> Vcc-0.2V
CS
2
Controlled
V
cc
1.65V
CS
2
t
SDR
Data Retention Mode
t
RDR
V
DR
0.4V
GND
CS
2
< 0.2V
9