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EM611V16BW-85S 参数 Datasheet PDF下载

EM611V16BW-85S图片预览
型号: EM611V16BW-85S
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内容描述: 64K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 188 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
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merging Memory & Logic Solutions Inc.
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
Parameter
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
NOTES
EM611FV16U Series
Low Power, 64Kx16 SRAM
Symbol
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
Test Condition
I
SB1
Test Condition
(Chip Disabled)
1)
Min
1.5
-
0
Typ
2)
-
0.25
-
-
Max
3.6
-
-
Unit
V
µA
V
CC
=1.5V, I
SB1
Test Condition
(Chip Disabled)
1)
See data retention wave form
ns
t
RC
-
1. See the I
S B 1
measurement condition of datasheet page 4.
2.Typical values are measured at T
A
=
25
o
C and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVE FORM
t
SDR
V
cc
2.7V
Data Retention Mode
t
RDR
2.2V
V
DR
CS > Vcc-0.2V
CS
GND
9