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EDS5104ABTA-7A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDS5104ABTA-7A
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内容描述: 512M位的SDRAM [512M bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 52 页 / 558 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA  
DQM, UDQM and LDQM (input pins)  
DQM controls input/output buffers. In 32M × 16 products, UDQM and LDQM control upper byte (DQ8 to DQ15) and  
lower byte (DQ0 to DQ7).  
Read operation: If DQM is High, the output buffer becomes High-Z. If the DQM is Low, the output buffer becomes  
Low-Z. (The latency of DQM during reading is 2 clocks.)  
Write operation: If DQM is High, the previous data is held (the new data is not written). If DQM is Low, the data is  
written. (The latency of DQM during writing is 0 clock.)  
DQ0 toDQ15 (input/output pins)  
Data is input to and output from these pins (DQ0 to DQ3; EDS5104AB , DQ0 to DQ7; EDS5108AB, DQ0 to DQ15;  
EDS5116AB).  
VDD, VSS, VDDQ, VSSQ (Power supply)  
VDD and VSS are power supply pins for internal circuits. VDDQ and VSSQ are power supply pins for the output  
buffers.  
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)  
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