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EDS2516APTA-7AL 参数 Datasheet PDF下载

EDS2516APTA-7AL图片预览
型号: EDS2516APTA-7AL
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内容描述: 256M位的SDRAM [256M bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 51 页 / 553 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS2504ACTA/08ACTA/16ACTA, EDS2504APTA/08APTA/16APTA  
Read Cycle/Write Cycle  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  
CLK  
CKE  
VIH  
Read cycle  
/RAS-/CAS delay = 3  
/CAS latency = 3  
Burst length = 4  
/CS  
/RAS  
=
VIH or VIL  
/CAS  
/WE  
BS  
Address  
DQM  
R:a  
C:a  
R:b  
C:b  
C:b'  
C:b"  
DQ (output)  
DQ (input)  
a
a+1 a+2 a+3  
b
b+1 b+2 b+3 b' b'+1 b" b"+1 b"+2 b"+3  
High-Z  
Bank 0  
Active  
Bank 0  
Read  
Bank 3  
Active  
Bank 3 Bank 0  
Bank 3  
Read  
Bank 3  
Read  
Bank 3  
Precharge  
Read  
Precharge  
VIH  
CKE  
Write cycle  
/RAS-/CAS delay = 3  
/CAS latency = 3  
Burst length = 4  
= VIH or VIL  
/CS  
/RAS  
/CAS  
/WE  
BS  
Address  
DQM  
R:a  
C:a  
a
R:b  
C:b  
C:b'  
C:b"  
High-Z  
DQ (output)  
DQ (input)  
a+1 a+2 a+3  
b
b+1 b+2 b+3 b'  
b'+1 b" b"+1b"+2 b"+3  
Bank 0  
Active  
Bank 0  
Write  
Bank 3  
Active  
Bank 3  
Write  
Bank 0  
Precharge  
Bank 3  
Write  
Bank 3  
Write  
Bank 3  
Precharge  
Read/Single Write Cycle  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  
CLK  
V
IH  
CKE  
/CS  
/RAS  
/CAS  
/WE  
BS  
R:a  
C:a  
R:b  
C:a' C:a  
a
Address  
DQM  
DQ (input)  
DQ (output)  
a
a+1 a+2 a+3  
a
a+1 a+2 a+3  
Bank 0  
Active  
Bank 0  
Read  
Bank 3  
Active  
Bank 0 Bank 0  
Write Read  
Bank 0  
Precharge  
Bank 3  
Precharge  
V
IH  
CKE  
/CS  
/RAS  
/CAS  
/WE  
BS  
R:a  
C:a  
R:b  
C:a  
C:b C:c  
Address  
DQM  
a
b
c
DQ (input)  
DQ (output)  
a
a+1  
a+3  
Bank 0  
Active  
Bank 0  
Read  
Bank 0  
Write  
Bank 0 Bank 0  
Write Write  
Bank 0  
Precharge  
Bank 3  
Active  
Read/Single write  
/RAS-/CAS delay = 3  
/CAS latency = 3  
Burst length = 4  
=
VIH or VIL  
Data Sheet E0110E30 (Ver. 3.0)  
44  
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