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    EDJ1116BBSE-8A-F 参数 Datasheet PDF下载

    EDJ1116BBSE-8A-F图片预览
    型号： EDJ1116BBSE-8A-F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1G位DDR3 SDRAM [1G bits DDR3 SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 151 页 / 1895 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDJ1116BBSE-8A-F的Datasheet PDF文件第40页浏览型号EDJ1116BBSE-8A-F的Datasheet PDF文件第41页浏览型号EDJ1116BBSE-8A-F的Datasheet PDF文件第42页浏览型号EDJ1116BBSE-8A-F的Datasheet PDF文件第43页浏览型号EDJ1116BBSE-8A-F的Datasheet PDF文件第45页浏览型号EDJ1116BBSE-8A-F的Datasheet PDF文件第46页浏览型号EDJ1116BBSE-8A-F的Datasheet PDF文件第47页浏览型号EDJ1116BBSE-8A-F的Datasheet PDF文件第48页  
    EDJ1104BBSE, EDJ1108BBSE, EDJ1116BBSE  
    Notes: 1. DM must be driven low all the time. DQS, /DQS are used according to read commands, otherwise  
    FLOATING.  
    2. Burst sequence driven on each DQ signal by read command. Outside burst operation,  
    DQ signals are FLOATING.  
    3. BA: BA0 to BA2.  
    Data Sheet E1375E50 (Ver. 5.0)  
    44  

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