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EBJ21UE8BASA-AE-E 参数 Datasheet PDF下载

EBJ21UE8BASA-AE-E图片预览
型号: EBJ21UE8BASA-AE-E
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内容描述: [DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 18 页 / 200 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EBJ21UE8BASA  
Self-Refresh Current (TC = 0°C to +85°C, VDD = 1.5V ± 0.075V)  
Parameter  
Symbol  
max.  
Unit  
mA  
Notes  
Self-refresh current  
normal temperature range  
IDD6  
160  
Self-refresh current  
extended temperature range  
IDD6ET  
IDD6TC  
288  
288  
mA  
mA  
Auto self-refresh current  
AC Timing for IDD Test Conditions  
For purposes of IDD testing, the following parameters are to be utilized.  
DDR3-1333  
9-9-9  
9
DDR3-1066  
7-7-7  
7
DDR3-800  
6-6-6  
6
Parameter  
Unit  
tCK  
ns  
CL (IDD)  
tCK min.(IDD)  
tRCD min. (IDD)  
tRC min. (IDD)  
tRAS min.(IDD)  
tRP min. (IDD)  
tFAW (IDD)-×4/×8  
tRRD (IDD)-×4/×8  
tRFC (IDD)  
1.5  
1.875  
13.13  
50.63  
37.5  
2.5  
13.5  
49.5  
36  
15  
ns  
52.5  
37.5  
15  
ns  
ns  
13.5  
30  
13.13  
37.5  
ns  
40  
ns  
6.0  
7.5  
10  
ns  
110  
110  
110  
ns  
DC Characteristics 2 (TC = 0°C to +85°C, VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V)  
(DDR3 SDRAM Component Specification)  
Parameter  
Symbol  
ILI  
Value  
Unit  
Notes  
Input leakage current  
Output leakage current  
2
5
µA  
µA  
VDD VIN VSS  
DDQ VOUT VSS  
ILO  
Data Sheet E1225E30 (Ver. 3.0)  
13  
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