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EBJ11UE6BBS0-8C-F 参数 Datasheet PDF下载

EBJ11UE6BBS0-8C-F图片预览
型号: EBJ11UE6BBS0-8C-F
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内容描述: [DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 18 页 / 190 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EBJ11UE6BBS0  
Self-Refresh Current (TC = 0°C to +85°C, VDD = 1.5V ± 0.075V)  
Parameter  
Symbol  
max.  
Unit  
mA  
Notes  
Self-refresh current  
normal temperature range  
IDD6  
80  
Self-refresh current  
extended temperature range  
IDD6ET  
IDD6TC  
144  
mA  
mA  
Auto self-refresh current (optional)  
Timings used for IDD and IDDQ Measurement-Loop Patterns  
DDR3-1333  
DDR3-1066  
DDR3-800  
Parameter  
CL  
9-9-9  
9
7-7-7  
7
6-6-6  
6
Unit  
tCK  
ns  
tCK min.  
nRCD min.  
nRC min.  
nRAS min.  
nRP min.  
nFAW  
1.5  
9
1.875  
7
2.5  
6
nCK  
nCK  
nCK  
nCK  
nCK  
nCK  
nCK  
33  
24  
9
27  
20  
7
21  
15  
6
30  
5
27  
6
20  
4
nRRD  
nRFC  
74  
59  
44  
DC Characteristics 2 (TC = 0°C to +85°C, VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V)  
(DDR3 SDRAM Component Specification)  
Parameter  
Symbol  
ILI  
Value  
Unit  
µA  
Notes  
Input leakage current  
Output leakage current  
2
5
VDD VIN VSS  
DDQ VOUT VSS  
ILO  
µA  
Data Sheet E1378E30 (Ver. 3.0)  
13  
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