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    EBE21UE8ACWA-8G-E 参数 Datasheet PDF下载

    EBE21UE8ACWA-8G-E图片预览
    型号： EBE21UE8ACWA-8G-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2GB无缓冲DDR2 SDRAM DIMM [2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 29 页 / 237 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EBE21UE8ACWA-8G-E的Datasheet PDF文件第21页浏览型号EBE21UE8ACWA-8G-E的Datasheet PDF文件第22页浏览型号EBE21UE8ACWA-8G-E的Datasheet PDF文件第23页浏览型号EBE21UE8ACWA-8G-E的Datasheet PDF文件第24页浏览型号EBE21UE8ACWA-8G-E的Datasheet PDF文件第25页浏览型号EBE21UE8ACWA-8G-E的Datasheet PDF文件第27页浏览型号EBE21UE8ACWA-8G-E的Datasheet PDF文件第28页浏览型号EBE21UE8ACWA-8G-E的Datasheet PDF文件第29页  
    EBE21UE8ACWA  
    DQS and /DQS (input and output pin)  
    DQS and /DQS provide the read data strobes (as output) and the write data strobes (as input).  
    DM (input pins)  
    DM is the reference signal of the data input mask function. DMs are sampled at the cross point of DQS and /DQS.  
    VDD (power supply pins)  
    1.8V is applied. (VDD is for the internal circuit.)  
    VDDSPD (power supply pin)  
    1.8V is applied (For serial EEPROM).  
    VSS (power supply pin)  
    Ground is connected.  
    Detailed Operation Part and Timing Waveforms  
    Refer to the EDE1108ACBG, EDE1116ACBG datasheet (E1173E).  
    Data Sheet E1213E10 (Ver. 1.0)  
    26  

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