EL2250C ， EL2450C
EL2250C ， EL2450C
125MHz的单电源双路/四路运算放大器
DC电气特性
V
S
= + 5V ， GND = 0V ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= +1.5V, V
OUT
= + 1.5V，除非另有规定。
参数
V
ON
负输出
电压摆幅
输出电流
[1]
描述
测试条件
V
S
= + 12V ，A
V
= +1, R
L
= 150Ω至0V
V
S
= ± 5V ，A
V
= +1, R
L
= 1kΩ的到0V
V
S
= ± 5V ，A
V
= +1, R
L
= 150Ω至0V
V
S
= ± 5V ，A
V
= +1, R
L
= 10Ω至0V
V
S
= ± 5V ，A
V
= +1, R
L
= 50Ω至0V± 60V
mA
民
典型值
5.5
-4.0
-3.7
最大
8
-3.4
单位
mV
V
V
mA
I
OUT
±75
±100
1.内部短路保护电路已经建成的EL2250C / EL2450C ;请参见应用部分
闭环AC电气特性
V
S
= + 5V ， GND = 0V ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= +1.5V, V
OUT
= + 1.5V ，A
V
= +1, R
F
= 0Ω, R
L
= 150Ω到GND端子，除非另有规定。
[1]
参数
BW
描述
-3dB带宽
(V
OUT
=400mVp-p)
测试条件
V
S
= + 5V ，A
V
= +1, R
F
= 0Ω
V
S
= + 5V ，A
V
= -1, R
F
= 500Ω
V
S
= + 5V ，A
V
= +2, R
F
= 500Ω
V
S
= + 5V ，A
V
= +10, R
F
= 500Ω
V
S
= + 12V ，A
V
= +1, R
F
= 0Ω
V
S
= + 3V ，A
V
= +1, R
F
= 0Ω
BW
± 0.1分贝带宽
(V
OUT
=400mVp-p)
增益带宽积
相位裕度
压摆率
上升时间，下降时间
冲
传播延迟
0.1％的建立时间
0.01 ％建立时间
dG
dP
e
N
i
N
微分增益
[2]
微分相位
[2]
输入噪声电压
输入噪声电流
V
S
= + 12V ，A
V
= +1, R
F
= 0Ω
V
S
= + 5V ，A
V
= +1, R
F
= 0Ω
V
S
= + 3V ，A
V
= +1, R
F
= 0Ω
增益带宽积
PM
SR
t
R
, t
F
OS
t
PD
t
S
V
S
= + 12V ，@ A
V
= +10
R
L
= 1kΩ的，C
L
=为6.0pF
V
S
= + 10V ，R
L
= 150Ω, V
OUT
= 0V至+ 6V
V
S
= + 5V ，R
L
= 150Ω, V
OUT
= 0V至+ 3V
± 0.1V步骤
± 0.1V步骤
± 0.1V步骤
V
S
= ± 5V ，R
L
= 500Ω, A
V
= +1, V
OUT
=
±3V
V
S
= ± 5V ，R
L
= 500Ω, A
V
= +1, V
OUT
=
±3V
A
V
= +2, R
F
= 1kΩ
A
V
= +2, R
F
= 1kΩ
F = 10kHz的
F = 10kHz的
200
民
典型值
125
60
60
6
150
100
25
30
20
60
55
275
300
2.8
10
3.2
40
75
0.05
0.05
48
1.25
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
°
V / μs的
V / μs的
ns
%
ns
ns
ns
%
°
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
1.所有AC测试是在一个“热身”的一部分，除了转换率，这是脉冲进行测试
2.标准NTSC信号= 286mV
P-P
， F = 3.58MHz的，为V
IN
从0.6V到席卷1.314V ; ř
L
在直流耦合
3
ELANTEC [ ELANTEC SEMICONDUCTOR ]
