EL2126C - 初步
EL2126C - 初步
超低噪声，低功耗，宽带放大器
3.
4.
5.
6.
脉冲测试只使用一个10Ω的负载
频率= 10MHz时，V
OUT
= 1Vpk -PK ，为100Ω和5pF的负载
频率= 20MHz时， V
OUT
= -20dBm （ 0.0274V
RMS
）为500Ω和15pF的负载
双音IMD ，频率= 5MHz时的6MHz ，并在-20dBm的输出电平，R
负载
= 500Ω和15pF的
电气特性
V
S
+ = +15V, V
S
- = -15V ，T
A
= 25 ° C，R
F
= 180Ω, R
G
= 20Ω, R
L
= 500Ω ，除非另有规定。
参数
直流性能
V
OS
T
CVOS
I
B
I
OS
T
兴业银行
C
IN
A
VOL
PSRR
CMRR
CMIR
V
OUT
V
OUTL
+
V
OUTL
-
I
OUT
I
SY
BW
BW ± 0.1分贝
BW ±1dB的
高峰
SR
OS +
OS-
T
S
V
N
I
N
HD2
HD3
THD
IMD
1.
2.
3.
4.
5.
输入失调电压（ SO8 & PDIP8 ）
输入失调电压（ SOT23-5 ）
失调电压温度系数
输入偏置电流
输入偏置电流失调
输入偏置电流温度系数
输入电容
开环增益
电源抑制比
共模输入范围
输出电压摆幅
正输出电压摆幅为100Ω
负输出电压摆幅为100Ω
输出短路电流
电源电流
-3dB带宽，R
L
= 500Ω
± 0.1分贝带宽，R
L
= 500Ω
±1dB的带宽，R
L
= 500Ω
峰值，R
L
= 500Ω
转换速率（ ± 2.5V方波，测量
25%-75%)
正过冲， 4Vpk -PK的输出方
WAVE
负过冲， 4Vpk -PK的输出方
WAVE
建立时间± 1V脉冲0.1 ％
电压噪声谱密度
电流噪声频谱密度
二阶谐波失真
3次谐波失真
[4]
[4]
[5]
[6]
[3]
[1]
[2]
描述
条件
民
典型值
-0.5
待定
最大
3
3
单位
mV
mV
μV/°C
µA
-15
-5
0.16
待定
2.2
0.7
µA
NA / ℃，
pF
dB
dB
dB
V
V
V
V
mA
75
65
70
±13.5
±13.5
R
F
= 1kΩ的，R
L
=
∞
10.7
-9.5
90
88
80
85
待定
±13.7
11.7
-10.2
150
5
136
26
60
2.1
6
共模抑制比
mA
兆赫
兆赫
兆赫
dB
V / μs的
%
%
ns
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
dBc的
dBc的
dBc的
%
AC性能 - V
CC
= -5V ，R
G
= 20Ω, C
L
≈ 3pF的
待定
150
1.6
-4.4
48
1.4
1.1
待定
待定
待定
待定
总谐波失真
互调失真
通过测量来自移动± 13.5V的电源，以± 16.5V
测量输入移动-14.4V到+ 13.8V
脉冲测试只使用一个10Ω的负载
频率= 10MHz时，V
OUT
= 1Vpk -PK ，为100Ω和5pF的负载
频率= 20MHz时， V
OUT
= -20dBm （ 0.0274V
RMS
）为500Ω和15pF的负载
3
ELANTEC [ ELANTEC SEMICONDUCTOR ]
