EL2008C
EL2008C
55 MHz的1安培缓冲放大器
老化电路
应用信息
该EL2008C是单片缓冲放大器内置于
ELANTEC专有的介质隔离的过程，
产生NPN和PNP晶体管具有实质上
相同的直流和交流特性。该EL2008C
取互补过程的充分利用
独特的电路拓扑结构。
ELANTEC已申请基于该两项专利
EL2008C的拓扑结构。该专利涉及到基极驱动
和反馈机制在缓冲区中。这种反馈
使得3000 V / μs压摆率与10Ω的负载可能的
适度的电源电流。
干扰可引起。至少有10 μF tanta-
LUM电容并联一个0.1μF的电容
短引线应采用两个电源。
输入特性
输入到EL2008C看起来像在杆的电阻
用约25 pF的除了一个直流偏置电流等位基因。
直流偏置电流是由于在测试的失配和
的NPN和PNP晶体管之间的集电极电流
连接到输入引脚。的偏置电流可以是
正或负。在输入电流中的变化与
输入电压（注册商标
IN
）是受输出负载，β
和内部提升。 ř
IN
可实际出现负
在一些单位输入范围的部分。几个
典型输入电流（I
IN
）曲线示于煤焦
动感画曲线。
内部钳位二极管从输入到输出都
提供的。这些二极管保护三极管的基极但排放
之三路口和转换期间限制升压电流
避免内部的晶体管的饱和度。二极管开始
导约± 2.5V输入输出电压差。
当这种情况发生的输入阻抗下降dramati-
美云。该二极管的额定在50毫安。进行时
6
电源
该EL2008C可单或分割操作支持
层数与10V之间的总电压差（ ± 5V ）
和36V （ ± 18V ） 。然而，带宽，压摆率和
输出阻抗受总电源电压
下面20V （ ±10V ），如由特征
曲线。它是没有必要使用等于分裂值支持
层数。例如-5V和+ 12V的将是极好的
信号从-2V至+ 9V 。
每个电源引脚到地的旁路电容
强烈建议，以减少供应振铃和
ELANTEC [ ELANTEC SEMICONDUCTOR ]
